北京東三環(huán)南路高和藍(lán)峰大廈313
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單晶硅項(xiàng)目占地面積103.48畝,建筑面積75884.93平米,達(dá)到穩(wěn)定運(yùn)營(yíng)后,每年銷售收入穩(wěn)定在17802.86萬(wàn)元人民幣左右,利潤(rùn)穩(wěn)定在1470.32萬(wàn)元人民幣左右。單晶硅項(xiàng)目總投資額為12935.06萬(wàn)元,20%申請(qǐng)政府資金支持,80%自有資金解決,投資利潤(rùn)率為15.45%;項(xiàng)目投資財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率(稅后)為0.01%,投資回收期(稅后)為9149.34年,盈虧平衡點(diǎn) BEP=38.28%。
單晶硅項(xiàng)目耕作層剝離利用方案 1. 總則
華靈四方公司擁有土地規(guī)劃資格、測(cè)繪資格,可專業(yè)編制土地復(fù)墾報(bào)告、耕作層剝離方案。聯(lián)系電話13911268021
1.1. 單晶硅項(xiàng)目工作背景
1.2. 單晶硅項(xiàng)目編制依據(jù)
1.2.1. 法律法規(guī)
1.2.2. 政策文件
1.2.3. 技術(shù)規(guī)程和標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范
1.2.4. 相關(guān)資料
1.3. 基本原則
2. 單晶硅項(xiàng)目概況
2.1. 單晶硅項(xiàng)目簡(jiǎn)介
2.2. 自然地理特征
2.2.1. 地理位置
2.2.2. 地形地貌
2.2.3. 氣候
2.2.4. 土壤
2.2.5. 植被
3. 區(qū)域選擇 10
3.1. 耕作層土壤剝離區(qū) 10
3.1.1. 耕作層土壤剝離要求 10
3.1.2. 剝離區(qū)具體情況 10
3.2. 耕作層土壤回覆區(qū) 24
3.2.1. 耕作層土壤回覆對(duì)象 24
3.2.2. 回覆區(qū)利用原則 24
3.2.3. 回覆區(qū)具體情況 25
3.3. 耕作層土壤儲(chǔ)存區(qū) 25
3.3.1. 儲(chǔ)存區(qū)選取要求 25
3.3.2. 耕作層土壤管護(hù)措施 25
3.3.3. 儲(chǔ)存區(qū)具體情況 26
4. 單晶硅項(xiàng)目土壤供需平衡分析 29
4.1. 土方平衡計(jì)算 29
4.1.1. 計(jì)算依據(jù) 29
4.1.2. 計(jì)算方法 29
4.2. 土方量的計(jì)算 30
4.2.1. 剝離區(qū)土方量計(jì)算 30
4.2.2. 回覆區(qū)土方量計(jì)算 31
4.2.3. 儲(chǔ)存區(qū)土方量計(jì)算 31
4.3. 供需調(diào)配分析 31
5. 單晶硅項(xiàng)目運(yùn)輸路線選擇 33
6. 單晶硅項(xiàng)目施工組織方案 34
6.1. 單晶硅項(xiàng)目土壤剝離施工 34
6.1.1. 單晶硅項(xiàng)目前期準(zhǔn)備工作 34
6.1.2. 單晶硅項(xiàng)目清表圍蔽工程 34
6.1.3. 土壤剝離施工總體要求 34
6.1.4. 機(jī)械人員配置計(jì)劃 34
6.1.5. 單晶硅項(xiàng)目施工方法 36
6.1.6. 單晶硅項(xiàng)目施工工藝 36
6.1.7. 單晶硅項(xiàng)目剝離施工技術(shù)要求 37
6.2. 土壤剝離后的運(yùn)輸 38
6.2.1. 單晶硅項(xiàng)目總體要求 38
6.2.2. 施工方法 38
6.2.3. 土壤運(yùn)輸技術(shù)方法 39
6.3. 土壤儲(chǔ)存施工 40
6.3.1. 總體要求 40
6.3.2. 施工方法 40
6.3.3. 單晶硅項(xiàng)目施工技術(shù)要求 40
6.4. 單晶硅項(xiàng)目驗(yàn)收 41
6.4.1. 單晶硅項(xiàng)目驗(yàn)收單位 41
6.4.2. 單晶硅項(xiàng)目驗(yàn)收內(nèi)容 41
7. 單晶硅項(xiàng)目投資估算 43
7.1. 編制說(shuō)明 43
7.2. 估算成果 43
8. 單晶硅項(xiàng)目實(shí)施計(jì)劃 45
8.1. 施工條件分析 45
8.1.1. 單晶硅項(xiàng)目交通條件 45
8.1.2. 單晶硅項(xiàng)目施工用電與施工用水 45
8.1.3. 單晶硅項(xiàng)目工程施工組織 45
8.2. 單晶硅項(xiàng)目施工工期計(jì)劃 45
9. 單晶硅項(xiàng)目保障措施 47
9.1. 單晶硅項(xiàng)目組織保障措施 47
9.2. 費(fèi)用保障措施 47
9.3. 單晶硅項(xiàng)目監(jiān)管保障措施 47
9.4. 單晶硅項(xiàng)目技術(shù)保障措施 47
9.4.1.單晶硅項(xiàng)目 質(zhì)量策劃 47
9.4.2. 技術(shù)交底制度 47
9.4.3. 質(zhì)量控制要求 48
9.5. 安全保障措施 48
9.6. 環(huán)境保護(hù)及現(xiàn)場(chǎng)文明施工保證措施 48
9.6.1. 環(huán)境保護(hù) 48
9.6.2. 現(xiàn)場(chǎng)文明施工 49
10. 附件 50
附件1土地利用現(xiàn)狀圖 50
附件2土壤檢測(cè)報(bào)告 51
生產(chǎn)單晶硅產(chǎn)品的主要企業(yè):
重慶大全新能源有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
江西宇博實(shí)業(yè)有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
江蘇華富控股集團(tuán)有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
廣豐縣金鑫科技實(shí)業(yè)有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
安徽日能中天半導(dǎo)體發(fā)展有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
江西中呈光電科技有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
天長(zhǎng)市百盛半導(dǎo)體科技有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
山西天能科技有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
安徽中科太陽(yáng)能有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
峨眉半導(dǎo)體材料廠單晶硅 產(chǎn)品能耗
都昌縣泰鑫電子材料有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
揚(yáng)州祥瑞電子科技發(fā)展有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
安徽中煜硅能科技有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
安徽新大半導(dǎo)體科技有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
江西昌盛電子科技有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
安徽新鑫太陽(yáng)能科技有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
廣豐縣天宇電子科技有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
江蘇天元光電發(fā)展有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
廣豐縣貝貝硅材料回收有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
西安驪晶電子技術(shù)有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
玉山縣騰翔科技有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
江蘇尚慧達(dá)太陽(yáng)能發(fā)展有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
萍鄉(xiāng)市賽德太陽(yáng)能科技有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
河南明鑫科技發(fā)展有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
濟(jì)寧佳華電子材料有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
安徽華順半導(dǎo)體發(fā)展有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
揚(yáng)州民生光電發(fā)展有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
江西天云電子科技有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
嘉祥正大電子有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
揚(yáng)州市宏祥光電科技有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
安徽矽力康晶能科技有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
江西興化世成電子科技有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
寧波海益矽金股份有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
成都青洋電子材料有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
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重慶大全新能源有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
江西宇博實(shí)業(yè)有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
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安徽中科太陽(yáng)能有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
洛陽(yáng)單晶硅有限責(zé)任公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
廣豐縣金鑫科技實(shí)業(yè)有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
山西天能科技有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
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桂林澳華宜德硅材料科技發(fā)展有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
西安驪晶電子技術(shù)有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
安徽日能中天半導(dǎo)體發(fā)展有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
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揚(yáng)州民生光電發(fā)展有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
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江蘇尚慧達(dá)太陽(yáng)能發(fā)展有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
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江西中呈光電科技有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
江西天云電子科技有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
安徽華順半導(dǎo)體發(fā)展有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
江蘇天元光電發(fā)展有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
江西興化世成電子科技有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
揚(yáng)州正林科技開(kāi)發(fā)有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
江蘇順大半導(dǎo)體發(fā)展有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
峨眉半導(dǎo)體材料廠單晶硅 產(chǎn)品能耗
上海合晶硅材料有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
廊坊松宮半導(dǎo)體有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
上饒縣長(zhǎng)興實(shí)業(yè)有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
陜西華山半導(dǎo)體材料廠單晶硅 產(chǎn)品能耗
益陽(yáng)晶鑫新能源科技實(shí)業(yè)有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
安徽中科太陽(yáng)能有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
赤壁市金山硅業(yè)有限責(zé)任公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
河南明鑫科技發(fā)展有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
廣豐縣金鑫科技實(shí)業(yè)有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
嘉祥正大電子有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
山西天能科技有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
涿鹿宇宙能源有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
廣豐縣天宇電子科技有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
廣豐縣貝貝硅材料回收有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
揚(yáng)州市科爾光電子材料有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
浙江高琪電子科技有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
浙江誠(chéng)泰電子科技有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
江蘇順大半導(dǎo)體發(fā)展有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
上海合晶硅材料有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
廊坊松宮半導(dǎo)體有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
峨眉半導(dǎo)體材料廠單晶硅 產(chǎn)品能耗
赤壁市金山硅業(yè)有限責(zé)任公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
陜西華山半導(dǎo)體材料廠單晶硅 產(chǎn)品能耗
嘉祥正大電子有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
河南明鑫科技發(fā)展有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
涿鹿宇宙能源有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
寧夏北方巨源硅材料制造有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
浙江高琪電子科技有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
安徽中科太陽(yáng)能有限公司單晶硅 產(chǎn)品能耗
2011年1-12 月,山東省其他非金屬礦物制品制造業(yè)累計(jì)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品銷售收入1736.14 億元,比上年同期增長(zhǎng)36.65% ,山東省其他非金屬礦物制品制造業(yè)累計(jì)實(shí)現(xiàn)利潤(rùn)總額130.68億元,上年同期為97.69億元。山東省其他非金屬礦物制品制造業(yè)總規(guī)模以上企業(yè)數(shù)量1291家,虧損企業(yè)93家,虧損總額為3.68億元,上年同期為1.18億元。山東省其他非金屬礦物制品制造業(yè)產(chǎn)品銷售稅金及附加為11.00億元,去年同期為9.28億元,增長(zhǎng)18.52%。
2011年1-12 月,山東省其他非金屬礦物制品制造業(yè)資產(chǎn)總計(jì)944.23 億元、比去年同期增加31.08% ;負(fù)債合計(jì)359.42 億元,比去年同期增加93.48% ;其他非金屬礦物制品制造業(yè)平均資產(chǎn)負(fù)債率為38.07% 。其他非金屬礦物制品制造業(yè)應(yīng)收帳款額為130.28億元,比去年同期增長(zhǎng)18.39% ,銷售成本為1462.26億元,比去年同期增長(zhǎng)35.52% ,銷售費(fèi)用為39.80億元,比去年同期增長(zhǎng)26.25% ,其他非金屬礦物制品制造業(yè)管理費(fèi)用為46.40億元,比去年同期增長(zhǎng)37.11% ,其他非金屬礦物制品制造業(yè)財(cái)務(wù)費(fèi)用為13.10億元,比去年同期增長(zhǎng)44.15%, 其他非金屬礦物制品制造業(yè)全部從業(yè)人員平均人數(shù)為172945人。
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