硅低頻大功率晶體管項目占地面積30.00畝，建筑面積20000.00平米，達到穩(wěn)定運營后，每年銷售收入穩(wěn)定在1103.35萬元人民幣左右，利潤穩(wěn)定在11.20萬元人民幣左右。硅低頻大功率晶體管項目總投資額為186.10萬元，20%申請政府資金支持，80%自有資金解決，投資利潤率為6.29%；項目投資財務內部收益率（稅后）為37.71%，投資回收期（稅后）為3.55年，盈虧平衡點 BEP=44.79%。
硅低頻大功率晶體管項目后評價報告 第1章 硅低頻大功率晶體管概述
1.1 硅低頻大功率晶體管項目項目基本情況
1.1.1 硅低頻大功率晶體管項目名稱
1.1.2 建設地點及四至范圍
1.1.3 硅低頻大功率晶體管項目性質
1.1.4 硅低頻大功率晶體管項目類型
1.1.5 建設規(guī)模及內容
1.1.6 硅低頻大功率晶體管項目總體經濟技術指標表
1.1.7 硅低頻大功率晶體管項目投資總額及資金籌措方案
1.1.8 硅低頻大功率晶體管項目建設進度計劃及進展情況
1.1.9 硅低頻大功率晶體管項目預計達到的節(jié)能目標
1.1.10 硅低頻大功率晶體管項目咨詢、設計資料及用能有關情況
1.1.11 硅低頻大功率晶體管項目外部條件
1.3 硅低頻大功率晶體管項目后評價開展情況
1.4 硅低頻大功率晶體管項目主要結論
第2章 項目前期決策總結與評價
2.1 規(guī)劃政策符合性
2.1.1 相關法律、法規(guī)、規(guī)劃、行業(yè)準入條件、產業(yè)政策
2.1.2 工藝、技術、裝備、產品等推薦的及淘汰目錄
2.2 建設必要性評價
2.3 可行性研究報告
2.4 初步設計（含概算）文件
2.5 項目申請書及其審批或核準文件主要內容和調整情況及其評價。
2、 建設單位提供的其他資料。
第3章 硅低頻大功率晶體管項目建設準備和實施總結與評價
3.1 硅低頻大功率晶體管開工準備
3.2 硅低頻大功率晶體管建設過程
3.3 硅低頻大功率晶體管組織管理
3.4 硅低頻大功率晶體管安全生產
3.5 硅低頻大功率晶體管資金落實和使用
3.6 硅低頻大功率晶體管竣工驗收等情況及其評價。
第4章 硅低頻大功率晶體管項目運行總結與評價
4.1 硅低頻大功率晶體管運行效果
4.2 硅低頻大功率晶體管項目制度建設執(zhí)行等情況及其評價。
生產硅低頻大功率晶體管的主要企業(yè)：
第5章 硅低頻大功率晶體管項目效益效果評價
5.1 硅低頻大功率晶體管項目財務及經濟效益
5.2 硅低頻大功率晶體管項目社會效益
5.3 硅低頻大功率晶體管項目生態(tài)環(huán)境損益及環(huán)保措施實施效果
5.4 硅低頻大功率晶體管項目資源和能源節(jié)約利用與保護效果
5.5 硅低頻大功率晶體管項目技術效果等評價
第6章 項目目標及可持續(xù)性評價
第7章 項目后評價結論及意見建議
生產硅低頻大功率晶體管產品的主要企業(yè)：
2011年1-12 月，山東省半導體分立器件制造業(yè)累計實現(xiàn)產品銷售收入719.57 億元，比上年同期增長15.62% ，山東省半導體分立器件制造業(yè)累計實現(xiàn)利潤總額35.12億元，上年同期為38.54億元。山東省半導體分立器件制造業(yè)總規(guī)模以上企業(yè)數(shù)量314家，虧損企業(yè)49家，虧損總額為5.39億元，上年同期為2.82億元。山東省半導體分立器件制造業(yè)產品銷售稅金及附加為1.60億元，去年同期為0.65億元，增長147.02%。
2011年1-12 月，山東省半導體分立器件制造業(yè)資產總計805.57 億元、比去年同期增加22.60% ;負債合計296.76 億元，比去年同期增加91.08% ；半導體分立器件制造業(yè)平均資產負債率為36.84% 。半導體分立器件制造業(yè)應收帳款額為123.02億元，比去年同期增長18.04% ，銷售成本為639.09億元，比去年同期增長18.05% ，銷售費用為9.94億元，比去年同期增長12.03% ，半導體分立器件制造業(yè)管理費用為40.01億元，比去年同期增長26.92% ，半導體分立器件制造業(yè)財務費用為4.77億元，比去年同期增長4.12%， 半導體分立器件制造業(yè)全部從業(yè)人員平均人數(shù)為116512人。
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